超26亿元ASML传来先进光刻机的新消息外媒：快了

  EUV光刻机是目前最先进的芯片生产制造设备，主要生产制造7nm以下制程的芯片，台积电、三星等厂商都在争相购买该光刻机。

  据悉，EUV光刻机被生产制造出来后，就不能自由出货，国内厂商早就全款订购一台，至今都没有到货。

  芯片等规则被修改后，EUV光刻机出货到外企中国分厂也受到了约束，所以，ASML一直都在想办法实现自由出货。

  其中，DUV光刻机绝大多数都是正常出货，国内厂商已经购买少数的DUV光刻机，今年第一季度就获得了23台。

  至于EUV光刻机，ASML一边加大提升产能，让EUV光刻机更普及，另外一方面加速研发新新一代光刻机，只要有更先进的设备上市，EUV光刻机在理论上就能自由出货了。

  根据ASML发布的消息可知，High NA EUV光刻机的原型机可能在2023年完成。

  目前，ASML已经收到了自供应商的第一台高数值孔径（High-NA）机械投影光学器件、光源以及新的晶圆载物台等。

  可以说，这些元器件将被用于初始测试和集成，这对于High NA EUV光刻机的打造是至关重要的一步。

  由于新新一代High NA EUV光刻机的研发成本高，这在某种程度上预示着该设备的售价也将远高出现有的EUV光刻机，售价可能会超过26亿元。

  另外，新新一代High NA EUV光刻机完成制造后，将会优先出货给哪家厂商，目前还不得而知。

  因为有消息称，台积电将会在2024年获得新新一代High NA EUV光刻机，也有消息称，三星可能会在2023年就获得该型号的光刻机。

  毕竟，三星李在镕曾亲自前往荷兰ASML总部，目的是想获得下一代先进光刻机的优先供货权。

  而且，三星和台积电在芯片制造工艺技术方面相同，不同的是，三星在GAA工艺上，2023年就将推出采用GAA工艺的芯片，台积电则在2nm芯片上采用GAA工艺。

  这就意味着台积电在GAA工艺商用时间方面，可能会落后台积电2年左右的时间。

  ASML传来先进光刻机的消息后，就有外媒表示快了，ASML的新新一代High NA EUV光刻机出货后，EUV光刻机理论上就可以在一定程度上完成自由出货了。

  首先，ASML不能自由出出货最先进的设备，所以EUV光刻机不能自由出货，而DUV光刻机绝大多数都是正常出货，原因是DUV光刻机并非最先进的设备。

  也就是说，High NA EUV光刻机上市后，现有型号的EUV光刻机就不再是最先进的设备了，理论上就可以在一定程度上完成自由出货。

  更何况，ASML也在提升EUV光刻机的产能和全球使用率，目的是让EUV光刻机普及，而大范围内普及的设备，自然也就不再什么先进的技术了。

  其次，ASML加速推进新新一代High NA EUV光刻机的研发，并提升EUV光刻机等设备的产能，也是因为竞争压力大。

  因为在过去，生产制造7nm以下芯片基本上必用EUV光刻机。如今，台积电明确说DUV光刻机也能够量产7nm、5nm等制程的芯片。

  另外，NIL工艺已然浮现，该工艺不需要EUV光刻机就能够将芯片制程缩小至5nm,还比EUV工艺更节能。

  再加上，先进的封装技术和堆叠技术芯片的应用，即便是不改变芯片制程，依旧可以打造出来性能强大的芯片。

  也正是因为如此，ASML才加速推进新新一代光刻机，加速实现自由出货。对此，你们怎么看。

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