美国芯片工艺3nm我们仅14nm一旦战争武器会落后么？

  最近，有网友留言给我称，目前美国与台积电是一伙的，芯片工艺达到了3nm，而中芯国际仅14nm，相差很大，如果若发生战争，岂不是武器会落后很多？因为一个用3nm芯片，一个用14nm芯片，芯片工艺越先进，性能越强，武器就会厉害啊。

  说真的，这样的疑问，很多人可能都会有，因为以往这些晶圆厂，都是宣称先进工艺，能带来更高性能，更低功耗……

  比如3nm的手机芯片，确实比14nm的手机芯片要强，不信你拿苹果A15和苹果A9比，A15直接碾压A9。

  为何要提升芯片的工艺，原因是工艺提升后，同样体积大小的芯片，性能更高，功耗更低，大家注意下这个前提，同样体积下。

  芯片的性能，其实最终由里面晶体管的多少决定的，一个晶体管代表着一个逻辑开关，逻辑开关越多，性能就更强。

  如果不考虑芯片体积，20nm的芯片，只要塞进去比3nm更多的晶体管，那么20nm的芯片，其性能能超过3nm的芯片，但这样的20nm的芯片，其体积会比3nm的芯片大很多。

  所以，工艺并不是决定性能的唯一标准，只是在手机中，由于内部空间存在限制，所以要体积小，性能强，才不断的升级工艺。

  军工级产品，实际上并不那么在乎体积，线nm工艺，把芯片做大了，一样能轻松实现高性能的，这一点大家不必担心。

  军工武器中，使用的需要综合算力的CPU、Soc这样的通用芯片其实很少的，更多的是ASIC、FPGA、ASSP这样的的专业芯片。

  这些芯片专注于执行某一项指令，并不是特别需要多么高的性能，只要稳定可靠就行了，而实验表示，工艺越先进的芯片，其稳定性越差，工艺越落后的芯片，稳定性其实更好，不信大家都看看月球车，为了稳定，还在使用130nm的芯片。

  从全球的情况去看，目前绝大部分的军工武器、战斗机中，都在使用65nm、90nm这样的芯片，比如俄乌冲突中，大量使用的武器、飞机、坦克的芯片，都是90nm、65nm级别的。

  所以大家根本就不需要担心因为芯片工艺问题，使得我们在军工武器上也落后，不存在的。

  另外还对大家说一个秘密，我们虽没EUV光刻机，但其实我们有另外一个类型的设备——电子束曝光机，它的功能其实跟光刻机很像，通过高能电子束进行曝光，来制造芯片，它的加工精度能够达到10纳米以下，国内有这个设备的，目前国内的先进制程的超导量子芯片，就用这样的机器产出的。

  只是它的效率很低，所以没办法大规模生产芯片，但是少量生产其实没什么问题的，军工武器是不计成本的，且不会大量生产的，所以就算线nm以下的芯片，也能实现的，不需要过多的担心。