英特尔预告万亿晶体管芯片：RibbonFET将替代FinFET

  从英特尔创始人戈登·摩尔提出开端，摩尔定律在曩昔的50多年里一向辅导着半导体职业的开展。不过跟着半导体开端步入物理极限，摩尔定律在最近几年开端不坚定，乃至让不少人以为摩尔定律已死。作为摩尔定律的铁杆保卫者，Intel表明摩尔定律没死，并估计芯片晶体管数量将于2030年提高到1万亿晶体管。

  Hotchips2022会议上，英特尔CEO基辛格在主题讲演中说到，先进封装技能将推进摩尔定律开展，开展出SystemonPackage(简称SOP)，制作厂不再出产单一制作工艺、单一功用的芯片，而是与SoC(SystemofChip)类似的体系级封装，供给包含晶圆出产、先进封装及整合在一起的体系级服务。

  依据基辛格的描绘，现在晶体管数量最多的芯片大约内建约1000亿个晶体管，未来经过SOP技能，能够在2030年完成1万亿晶体管的体系级封装。仅仅要完成1万亿晶体管，除了以来先进封装技能外，新的制作技能相同重要。考虑到FinFET晶体管技能已达到极限，英特尔将会在2024年量产的20A(2nm)工艺上抛弃FinFET技能，转向RibbonFET及PowerVIA等下一代技能。

  依据英特尔的说法，RibbonFET是Intel对GateAllAround晶体管的完成，成为公司自2011年推出FinFET后，首个全新晶体管架构。RibbonFET技能加速晶体管开关速度，并完成与多鳍结构相同的驱动电流，一起下降空间的占用。PowerVia是Intel独有的技能，也是业界首个反面电能传输网络，经过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

  修改点评：从现阶段来看，三星是最快转向GAA工艺的半导体制作商，官方也在6月宣告选用GAA技能的3nm工艺进入量产，仅仅现在没有清楚有哪些客户运用。至于台积电方面，官方好像抛弃第一代选用选用FinFEt工艺的3nm;GAA技能的产品好像要比及2nm产品才会运用，仅仅2nm需求等2025年。英特尔方面的进展比台积电快一些，他们计划在2024年推出相关产品。

  当然了，跟着半导体微缩进入瓶颈，未来的芯片功能提高更多需求很多“堆砌”晶体管完成，发热、功耗也随之变高。就算在很多新技能的加持下，1万亿晶体管芯片的功耗只会更高，信任大都消费级用户难以承受。