场效应晶体管的作业原理和品种特色

  称为场效应晶体管（FET: Field effect transist。这三个端子别离称作漏极（D）、源极（S）、栅极（G）。如图所示,若漏极 — 源极之间外加电压，则流转电流Id。接下来，在栅极 — 源极之间外加反向电压，则耗尽层扩展，电流的通道(沟道)变窄，电流受到限制。

  电流Id称为漏极电流，经过改动栅极 — 源极之间的电压能改动耗尽层的厚度，然后改动漏极电流。

  如图所示，沟道为N型半导体的FET称为N沟道FET,沟道为P型半导体的FET称为P沟道FET。在一般的晶体管中，电流由电子与空穴转移，其“具有两种极性”，所以被称为双极性晶体管。与此比较，N沟道FET是由电子来转移电流的，P沟道FET是由空穴来转移电流的，因而也称之为单极晶体管。

  一般的晶体管为电流操控型元件。与此相反,FET为电压操控型元件。FET具有输入阻抗高、噪声小的特色。

  在图中，栅极运用的是PN结，因而称为结型FET。与此比较，在半导体的外表制备一层绝缘功能很好的十分薄的氧化绝缘膜(SiO2),在此之上蒸镀金属而构成栅极的场效应管称为MOS型FET。这儿所说的蒸镀是指将金属在真空中加热，金属熔解、蒸腾后附着于半导体的外表，然后构成薄膜。MOS为Metal- Oxide Semiconductor的缩写,其意义为金属氧化物半导体。图中列出了断型FET与MOS型FET的图示符号。